买卖IC网 >> 产品目录 >> NE856M13-T3 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE856M13-T3

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频双极小信号晶体管
描述 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
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制造商 CEL
配置 Single
晶体管极性 NPN
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极连续电流 0.1 A
功率耗散 140 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
封装 / 箱体 M13
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 NE856M13-T3
NE856M13-T3-A
NE88130-T1
NE88130-T1/JM
NE8932CA
NE894M03
供应商
公司名
电话
深圳市大源实业科技有限公司 15302619915 李女士
北京京北通宇电子元件有限公司 18724450645 吴
深圳市华盛锦科技有限公司 0755-82798020 张先生/雷小姐
深圳市科宏特电子有限公司 18897698645 李瑞兵
深圳市佳斯泰科技有限公司 13714291754 欧阳先生
  • NE856M13-T3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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